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2013年04月19日11:43 | 中國(guó)發(fā)展門(mén)戶(hù)網(wǎng) www.chinagate.cn | 給編輯寫(xiě)信 字號(hào)：T|T

3.微電子與光電子技術(shù)

3.1 14納米以下技術(shù)代硅基新型器件及關(guān)鍵工藝技術(shù)研究

本研究?jī)?nèi)容下設(shè)1個(gè)研究方向。

3.1.1 14納米以下技術(shù)代硅基新型器件及關(guān)鍵工藝技術(shù)研究（國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限3000萬(wàn)元、企業(yè)牽頭申報(bào)，實(shí)施年限3年）

以突破14納米以下尺度器件的功耗瓶頸為目標(biāo)，在新結(jié)構(gòu)、新原理、新材料和新工藝研究的基礎(chǔ)上，提出新器件實(shí)現(xiàn)方案并開(kāi)展相關(guān)工藝技術(shù)研究，探索新器件與電路之間的協(xié)同設(shè)計(jì)方法，為我國(guó)集成電路技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展提供具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的解決方案。

3.2高效能近閾值集成電路關(guān)鍵技術(shù)研究

本研究?jī)?nèi)容下設(shè)1個(gè)研究方向。

3.2.1高效能近閾值集成電路關(guān)鍵技術(shù)研究（國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限2500萬(wàn)元，實(shí)施年限3年）

突破近閾值集成電路器件模型、可靠性、電路設(shè)計(jì)和容錯(cuò)設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)，器件、電路設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)工具環(huán)境、SoC芯片原型及演示系統(tǒng)四個(gè)層次的研究?jī)?nèi)容：研究寬電壓、高精度器件模型、時(shí)序偏差容忍電路設(shè)計(jì)方法和高效能電路架構(gòu)，開(kāi)發(fā)近閾值電路單元庫(kù)及配套設(shè)計(jì)工具環(huán)境，設(shè)計(jì)一款高性能、高效能SoC芯片原型及其應(yīng)用演示系統(tǒng)，在保證SoC峰值性能的前提下，應(yīng)用場(chǎng)景效能比提高一倍以上。

3.3移動(dòng)智能終端大容量存儲(chǔ)關(guān)鍵技術(shù)研究

面向移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)智能終端大容量存儲(chǔ)的產(chǎn)品和技術(shù)需求，突破全兼容可配置存儲(chǔ)控制技術(shù)，基于先進(jìn)工藝NAND FLASH的高性能存儲(chǔ)控制技術(shù)和大容量固態(tài)硬盤(pán)（SSD）設(shè)計(jì)技術(shù)，開(kāi)發(fā)移動(dòng)智能終端SoC存儲(chǔ)控制器IP核、高性能存儲(chǔ)控制芯片和大容量SSD，并實(shí)現(xiàn)示范應(yīng)用。下設(shè)3個(gè)研究方向。

3.3.1移動(dòng)智能終端SoC存儲(chǔ)控制器IP核關(guān)鍵技術(shù)研究（國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限600萬(wàn)元，實(shí)施年限3年）

針對(duì)移動(dòng)智能終端SoC芯片存儲(chǔ)控制IP核高性能、兼容性和可靠性的技術(shù)需求，突破全兼容可配置的校驗(yàn)糾錯(cuò)算法、塊管理算法和文件管理技術(shù)，研究高吞吐率緩存電路設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)可靠存儲(chǔ)技術(shù)，開(kāi)發(fā)一款支持多種工藝節(jié)點(diǎn)NAND FLASH、支持ONFI 3.0接口的控制器IP核，集成到SoC芯片驗(yàn)證，形成演示系統(tǒng)。

3.3.2移動(dòng)智能終端的高性能存儲(chǔ)控制芯片關(guān)鍵技術(shù)研究（國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限800萬(wàn)元，實(shí)施年限3年）

針對(duì)移動(dòng)智能終端產(chǎn)品對(duì)高性能、長(zhǎng)壽命和低成本大容量存儲(chǔ)的技術(shù)需求，突破TLC NAND FLASH帶來(lái)的高速數(shù)據(jù)傳輸、可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和長(zhǎng)壽命使用等技術(shù)難點(diǎn)，研究數(shù)據(jù)校驗(yàn)糾錯(cuò)算法、塊管理算法和高速傳輸架構(gòu)，設(shè)計(jì)一款支持ONFI 3.0接口和eMMC接口、128GB NAND FLASH的控制器芯片，實(shí)現(xiàn)移動(dòng)智能終端產(chǎn)品解決方案。

3.3.3面向移動(dòng)智能終端應(yīng)用的大容量固態(tài)硬盤(pán)關(guān)鍵技術(shù)研究（國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限800萬(wàn)元，企業(yè)牽頭申報(bào)，實(shí)施年限3年）

針對(duì)移動(dòng)智能終端對(duì)外接高速、大容量固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的技術(shù)需求，突破高性能、高帶寬固態(tài)硬盤(pán)控制技術(shù)，多片F(xiàn)LASH組織和USB高速接口技術(shù)，研究固態(tài)硬盤(pán)SSD控制芯片的校驗(yàn)糾錯(cuò)算法、多片F(xiàn)LASH管理算法、文件系統(tǒng)和高速傳輸架構(gòu)，設(shè)計(jì)一款支持512GB NAND FLASH，支持ONFI 3.0接口和USB 3.0接口的SSD控制芯片，實(shí)現(xiàn)SSD系統(tǒng)原型和應(yīng)用演示。

3.4新一代移動(dòng)通信基站氮化鎵射頻功率放大器

本研究?jī)?nèi)容下設(shè)1個(gè)研究方向。

3.4.1新一代移動(dòng)通信基站氮化鎵射頻功率放大器（國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限2000萬(wàn)元，實(shí)施年限3年）

研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基于SiC（碳化硅）襯底的GaN（氮化鎵）功放器件及模塊，針對(duì)LTE-Advance系統(tǒng)的應(yīng)用，GaN（氮化鎵）功放相比傳統(tǒng)的LDMOS功放具有更大的帶寬、更高的效率及更小的體積等諸多優(yōu)點(diǎn)，將替代目前的Si LDMOS管成為無(wú)線(xiàn)基站射頻功放的主流功率放大器件。并完成在帶寬100MHz以上的LTE系統(tǒng)中的應(yīng)用驗(yàn)證。

3.5寬帶模擬通信用光收發(fā)陣列芯片與模塊

為滿(mǎn)足4G移動(dòng)通信中寬頻帶傳輸和低功耗無(wú)線(xiàn)接入的重大需求，研究高線(xiàn)性直接調(diào)制激光器陣列芯片、高頻大功率光探測(cè)器陣列芯片、陣列芯片模塊化耦合封裝、多制式寬頻帶光載無(wú)線(xiàn)傳輸與分配等關(guān)鍵技術(shù)，并進(jìn)行系統(tǒng)示范應(yīng)用，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高線(xiàn)性模擬通信光收發(fā)模塊的空白。下設(shè)2個(gè)研究方向。

3.5.1高線(xiàn)性激光器和光探測(cè)器陣列芯片（國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限1100 萬(wàn)元，實(shí)施年限3年）

針對(duì)光載無(wú)線(xiàn)（RoF）組網(wǎng)技術(shù)對(duì)激光器和光探測(cè)器的要求，研制出模擬通信激光器陣列芯片，研制1310nm波段4通道模擬通信激光器陣列芯片和大功率光探測(cè)器陣列芯片，高頻響應(yīng)覆蓋X波段以下頻率范圍，激光器單信道出纖光功率大于6dBm、光探測(cè)器飽和光功率大于5dBm。

3.5.2寬頻帶光收發(fā)模塊與系統(tǒng)驗(yàn)證（國(guó)撥經(jīng)費(fèi)限1100萬(wàn)元，實(shí)施年限3年）

針對(duì)光載無(wú)線(xiàn)（RoF）組網(wǎng)技術(shù)對(duì)光發(fā)射機(jī)和光接收機(jī)的要求，研究大動(dòng)態(tài)直接調(diào)制激光器和探測(cè)器集成芯片的微波封裝技術(shù)，研制傳輸帶寬大于10GHz的4通道模擬通信光收發(fā)模塊，傳輸距離大于10km，并完成系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。

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