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2013年09月18日10:36 | 中國(guó)發(fā)展門(mén)戶(hù)網(wǎng) www.chinagate.cn | 給編輯寫(xiě)信 字號(hào)：T|T

二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)

（一）光伏制造企業(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品

質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。

（二）光伏制造企業(yè)應(yīng)具備以下條件：在中華人民共和

國(guó)境內(nèi)依法注冊(cè)成立，具有獨(dú)立法人資格；具有太陽(yáng)能光伏

產(chǎn)品獨(dú)立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力；具有省級(jí)以上獨(dú)立研

發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工

藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷(xiāo)售額的3%且不少于1000萬(wàn)元人民

幣；申報(bào)符合規(guī)范名單時(shí)上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于本條第（三 ）

款產(chǎn)能要求的50%。

（三）光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類(lèi)型應(yīng)分別滿(mǎn)足以下要求：

1.多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模大于3000噸/年；

2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；

3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；

4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬(wàn)片；

5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；

6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；

7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp。

（四）現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿(mǎn)足以下要求：

1.多晶硅滿(mǎn)足《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》（GB/T25074）1級(jí)品

的要求；

2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2μs，電阻

率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于16和18PPMA；單晶硅

3

片少子壽命大于10μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分

別小于10和18PPMA；

3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低

于16%和17%；

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率

分別不低于14.5%和15.5%；

5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄

膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。

（五）新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿(mǎn)足以下要求：

1.多晶硅滿(mǎn)足《硅多晶》（GB/T12963）2級(jí)品以上要求；

2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，電

阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅

片少子壽命大于11μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分

別小于8和6PPMA；

3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低

于18%和20%；

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分

別不低于16.5%和17.5%；

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效

率分別不低于12%、12%、13%、12%。

4

（六）多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在2年

內(nèi)分別不高于3.2%和4.2%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池

組件衰減率在2年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于20%。

三、資源綜合利用及能耗

（一）光伏制造企業(yè)和項(xiàng)目用地應(yīng)符合國(guó)家已出臺(tái)的土

地使用標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)格保護(hù)耕地，節(jié)約集約用地。

（二）光伏制造項(xiàng)目能耗應(yīng)滿(mǎn)足以下要求：

1.現(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目還原電耗小于80千瓦時(shí)/千克，綜合

電耗小于140千瓦時(shí)/千克；新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目還原電耗小

于60千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于100千瓦時(shí)/千克；

2.現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合能耗小于9千瓦時(shí)/千克，新

建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于7千瓦時(shí)/千克；如采用多晶鑄錠爐生

產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項(xiàng)目平均綜合能耗的增加幅度不

得超過(guò)0.5千瓦時(shí)/千克；

3.現(xiàn)有硅棒項(xiàng)目平均綜合能耗小于50千瓦時(shí)/千克，新

建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于45千瓦時(shí)/千克；

4.現(xiàn)有多晶硅片項(xiàng)目平均綜合能耗小于60萬(wàn)千瓦時(shí)/百

萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于55萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片；現(xiàn)有單

晶硅片項(xiàng)目平均綜合能耗小于40萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和

改擴(kuò)建項(xiàng)目小于35萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片；

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